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抗干擾介質(zhì)損耗測量?jì)x

抗干擾介質(zhì)損耗測量?jì)x具有正/反接線(xiàn),內/外標準電容,內/外高壓多種工作模式,一體化結構,可做各種常規介損試驗,不需外接任何輔助設備。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2024-04-02
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:196
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詳細介紹

抗干擾介質(zhì)損耗測量?jì)x

產(chǎn)品特性:

◆ 具有正/反接線(xiàn),內/外標準電容,內/外高壓多種工作模式,一體化結構,可做各種常規介損試驗,不需外接任何輔助設備。

◆ 液晶顯示,菜單操作,測試數據豐富,自動(dòng)分辨電容、電感、電阻型試品,自帶微型打印機可打印輸出。

◆ 具有外接標準電容器接口,可外接油杯做精密絕緣油介損試驗,可外接固體材料測量電極做精密絕緣材料介損試驗,也可外接高壓標準電容器做高電壓介損試驗。

◆ 自動(dòng)識別50Hz / 60Hz系統電源,并支持發(fā)電機供電,即使頻率波動(dòng)大,也可正常測量。

◆ 內置串聯(lián)和并聯(lián)兩種介損測量模型,方便儀器檢定。

◆ 可存儲255組測量數據。

◆ CVT自激法測量時(shí),C1/C2可一次接線(xiàn)同時(shí)測出,自動(dòng)補償母線(xiàn)接地和標準電容器的分壓影響,無(wú)須換線(xiàn)和外接任何配件。

◆ 中文圖文菜單,大屏幕背光LCD顯示更清晰,電流電壓實(shí)時(shí)監視。

◆ 優(yōu)化的電路設計,使正/反接線(xiàn)的準確度和穩定性。

◆ 自動(dòng)識別外接高壓試驗電源頻率40Hz~70Hz,支持工頻電源、變頻電源和串聯(lián)諧振電源做大容量高電壓介損試驗。

◆ 具有反接線(xiàn)低壓屏蔽功能,在220kVCVT母線(xiàn)接地情況下,對C11可進(jìn)行不拆線(xiàn)10kV反接線(xiàn)介損測量。

◆ 帶計算機接口。通過(guò)該接口,實(shí)現測量、數據處理和報表輸出,也可實(shí)現儀器內部測量軟件升級??杉傻骄C合高壓試驗車(chē)上。


工作原理

儀器測量線(xiàn)路包括一路標準回路和一路測試回路,如圖三所示。

標準回路由內置高穩定度標準電容器與標準電阻網(wǎng)絡(luò )組成,由計算機實(shí)時(shí)采集標準回路電流與測試回路的電流幅值及其相位差,并由之算出被測試品的電容容值(Cx)和其介質(zhì)損耗(tg)。

數據采集電路全部采用高穩定度器件,采集板和采集計算機被鐵盒wan全浮空屏蔽,儀器的外殼接地屏蔽;另外使用了光導數據、浮空地、大面積地、單點(diǎn)地、數字濾波等抗干擾技術(shù),加之計算機對數百個(gè)電網(wǎng)周期的數據進(jìn)行處理,故測量結果穩定、精確、可靠。

由圖三可見(jiàn),儀器高壓變壓器的高壓側和測量線(xiàn)路都是浮地的,用戶(hù)可根據不同的測量對象和測量需要,靈活地采用多種接線(xiàn)方式。如采用“正接線(xiàn)法"進(jìn)行測量時(shí),可將“E"點(diǎn)接地;而當采用“反接線(xiàn)法"進(jìn)行測量時(shí),可將“UH"點(diǎn)接地,而將E點(diǎn)浮空。

圖中除測試品Cx外,其余為本儀器。細線(xiàn)框內部分對儀器外殼能承受15KV工頻高壓5分鐘,額定耐壓10KV。儀器內附標準電容CN,名義值為50PF,tgδ≤0.0001,耐壓10KV。高壓變壓器,額定輸出功率為1KVA。

★“E"點(diǎn)為儀器的內屏蔽與測量電纜的屏蔽層相連,不是大地,與儀器的外殼也不連通?。?!


抗干擾介質(zhì)損耗測量?jì)x

技術(shù)指標

1、環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應避免長(cháng)時(shí)日照)

2、相對濕度:30%~70%

3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz

4、外形尺寸:長(cháng)×寬×高=4900mm×300mm×390mm

5、重量:約18kg

6、輸出功率:1KVA

7、顯示分辨率:4位

8、測量范圍:

介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%

電容容量(Cx)和加載電壓:

2.5KV檔:≤300nF(300000pF)

3KV檔:≤200nF(200000pF)

5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)

7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)

10 KV檔:≤ 20nF( 20000pF)

9、基本測量誤差:

介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接

介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%(加載電流 5μA~ 20mA)反接

電容容量( Cx ):1.5%±1.5pF


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